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       形成薄膜的初期一般認為有三類，即島狀生長，層狀生長及層狀-島狀生長。其形態及過程受基板表面的性質，溫度及蒸鍍速度等因素的影響。其中與基板表面的清潔度關系很大。玻璃瓶生產廠家由于知道蒸鍍原子或分子與基板原子間作用強弱有關，若這時玻璃瓶廠把蒸鍍原子之間互相作用力強時形成島狀生長，若時測為層狀生長。
       蒸鍍的設備，除了蒸鍍用真空罐外，還需要真空排氣系統，我們徐州玻璃瓶廠一般的蒸鍍需10-3-10-4pa的真空度，蒸鍍半導體膜時需10-6-10-8pa的超真空度。應對應選擇適應的真空度要求及排氣量的真空泵及附屬設備，這時玻璃瓶廠若選用擴散泵應注意油倒流造成的基板污染。玻璃瓶廠的蒸鍍中對應蒸發物質及量的不同，所使用蒸發源種類形式也不同，所需溫度可以依據平衡蒸汽壓所對應溫度加以選擇，徐州玻璃瓶廠用蒸發源加熱方式可以采用通電加熱，電子搶沖擊，激光照射等加熱方式。
       對基板的加熱可以使表面潔凈化，引起外誕生長及化合物反應，因而應對基板加熱。徐州玻璃瓶廠通常對基板的加熱采用基板背面設加熱器或加熱用燈，但基板溫度難以測試，雖設熱電偶但反應出的卻卻未必是基板表面的溫度。